STF20NF06 |
RFQ for STF20NF06 |
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| Technical/Catalog Information | STF20NF06 |
| Vendor | STMicroelectronics |
| Category | Discrete Semiconductor Products |
| Mounting Type | Through Hole |
| FET Polarity | N-Channel |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 20A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70 mOhm @ 10A, 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 400pF @ 25V |
| Power - Max | 28W |
| Packaging | Tube |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 18nC @ 10V |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack (Straight Leads) |
| FET Feature | Standard |
| Lead Free Status | Lead Free |
| RoHS Status | RoHS Compliant |
| Other Names | STF20NF06 STF20NF06 497 4340 5 ND 49743405ND 497-4340-5 |
| Product | Manufacturers | Pack | D/C |
| STF20NF06 | - | TO 220 ISO FULL PACK IN LINE | 07+(pb-free) |
This Power MOSFET is the latest development of STMicroelectronis unique "Single Feature Size™" strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low onresistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility
Typical Application |
Features |
| DC MOTOR CONTROL DC-DC & DC-AC CONVERTERS | TYPICAL RDS(on) = 0.06 AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY 100% AVALANCHE TESTED 175oC OPERATING TEMPERATURE HIGH dv/dt CAPABILITY APPLICATION ORIENTED CHARACTERIZATION |
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Symbol |
Parameter |
Value |
Unit | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STP20NF06 |
STF20NF06 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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VCES |
Drain-source Voltage (VGS = 0) |
60 |
V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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VECR |
Drain-gate Voltage (RGS = 20 k) |
60 |
V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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VGE |
Gate-Emitter Voltage |
± 20 |
V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IC |
Drain Current (continuous) at TC = 25°C |
20 |
20(*) |
A | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IC |
Drain Current (continuous) at TC = 100°C |
14 |
14(*) |
A | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ICM(•) |
Drain Current (pulsed) |
80 |
80(*) |
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